DMT10H010LSS-13

Diodes Incorporated

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	DMT10H010LSS-13
Costruttore / Marca:	Diodes Incorporated
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 100V SO-8
Specifiche:	DMT10H010LSS-13.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	87412 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 87412 pcs

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Specifiche di DMT10H010LSS-13

Modello di prodotti	DMT10H010LSS-13	fabbricante	Diodes Incorporated
Descrizione	MOSFET N-CH 100V SO-8	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	87412 pcs	Scheda dati	DMT10H010LSS-13.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2.8V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	8-SO
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	9.5 mOhm @ 13A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	1.4W (Ta)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Altri nomi	DMT10H010LSS-13-ND DMT10H010LSS-13DITR
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Produttore tempi di consegna standard	32 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3000pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	71nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)	100V	Descrizione dettagliata	N-Channel 100V 11.5A (Ta), 29.5A (Tc) 1.4W (Ta) Surface Mount 8-SO
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	11.5A (Ta), 29.5A (Tc)

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Post-Vendita
Specifiche

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