EPC2105ENG

EPC

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	EPC2105ENG
Costruttore / Marca:	EPC
Descrizione del prodotto	TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE
Specifiche:	EPC2105ENG.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	11076 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 11076 pcs

Prezzo di riferimento (in dollari USA)

10 pcs: $4.114

30 pcs: $3.805

100 pcs: $3.497

250 pcs: $3.188

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Specifiche di EPC2105ENG

Modello di prodotti	EPC2105ENG	fabbricante	EPC
Descrizione	TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	11076 pcs	Scheda dati	EPC2105ENG.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2.5V @ 2.5mA	Contenitore dispositivo fornitore	Die
Serie	eGaN®	Rds On (max) a Id, Vgs	14.5 mOhm @ 20A, 5V
Potenza - Max	-	imballaggio	Bulk
Contenitore / involucro	Die	Altri nomi	EPC2105ENGR 917-EPC2105ENG EPC2105ENGR EPC2105ENGRH4
temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	300pF @ 40V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	2.5nC @ 5V
Tipo FET	2 N-Channel (Half Bridge)	Caratteristica FET	GaNFET (Gallium Nitride)
Tensione drain-source (Vdss)	80V	Descrizione dettagliata	Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 80V 9.5A, 38A Surface Mount Die
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	9.5A, 38A

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Post-Vendita
Specifiche

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