EPC2108

EPC

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	EPC2108
Costruttore / Marca:	EPC
Descrizione del prodotto	MOSFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA
Specifiche:	EPC2108.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	56487 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 56487 pcs

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Specifiche di EPC2108

Modello di prodotti	EPC2108	fabbricante	EPC
Descrizione	MOSFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	56487 pcs	Scheda dati	EPC2108.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA	Contenitore dispositivo fornitore	9-BGA (1.35x1.35)
Serie	eGaN®	Rds On (max) a Id, Vgs	190 mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3 Ohm @ 2.5A, 5V
Potenza - Max	-	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	9-VFBGA	Altri nomi	917-1169-2
temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Produttore tempi di consegna standard	14 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	22pF @ 30V, 7pF @ 30V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V	Tipo FET	3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Caratteristica FET	GaNFET (Gallium Nitride)	Tensione drain-source (Vdss)	60V, 100V
Descrizione dettagliata	Mosfet Array 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) 60V, 100V 1.7A, 500mA Surface Mount 9-BGA (1.35x1.35)	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	1.7A, 500mA

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Post-Vendita
Specifiche

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