GP1M005A040PG

Global Power Technologies Group

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	GP1M005A040PG
Costruttore / Marca:	Global Power Technologies Group
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 400V 3.4A IPAK
Specifiche:	GP1M005A040PG.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	4140 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4140 pcs

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Specifiche di GP1M005A040PG

Modello di prodotti	GP1M005A040PG	fabbricante	Global Power Technologies Group
Descrizione	MOSFET N-CH 400V 3.4A IPAK	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	4140 pcs	Scheda dati	GP1M005A040PG.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	I-PAK
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	1.6 Ohm @ 1.7A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	50W (Tc)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Through Hole	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	522pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	7.1nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Tensione drain-source (Vdss)	400V	Descrizione dettagliata	N-Channel 400V 3.4A (Tc) 50W (Tc) Through Hole I-PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	3.4A (Tc)

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Post-Vendita
Specifiche

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