GP1M005A050PH

Global Power Technologies Group

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	GP1M005A050PH
Costruttore / Marca:	Global Power Technologies Group
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 500V 4.5A IPAK
Specifiche:	GP1M005A050PH.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	4702 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4702 pcs

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Specifiche di GP1M005A050PH

Modello di prodotti	GP1M005A050PH	fabbricante	Global Power Technologies Group
Descrizione	MOSFET N-CH 500V 4.5A IPAK	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	4702 pcs	Scheda dati	GP1M005A050PH.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	I-PAK
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	1.65 Ohm @ 2.25A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	92.5W (Tc)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Through Hole	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	627pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	11nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Tensione drain-source (Vdss)	500V	Descrizione dettagliata	N-Channel 500V 4.5A (Tc) 92.5W (Tc) Through Hole I-PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	4.5A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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