IXFK80N20

IXYS Corporation

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	IXFK80N20
Costruttore / Marca:	IXYS Corporation
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 200V 80A TO-264AA
Specifiche:	IXFK80N20.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	4160 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4160 pcs

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Specifiche di IXFK80N20

Modello di prodotti	IXFK80N20	fabbricante	IXYS Corporation
Descrizione	MOSFET N-CH 200V 80A TO-264AA	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	4160 pcs	Scheda dati	IXFK80N20.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4V @ 4mA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-264AA (IXFK)
Serie	HiPerFET™	Rds On (max) a Id, Vgs	30 mOhm @ 500mA, 10V
Dissipazione di potenza (max)	360W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-264-3, TO-264AA	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Through Hole	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	5900pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	280nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Tensione drain-source (Vdss)	200V	Descrizione dettagliata	N-Channel 200V 80A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	80A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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