IXFP10N60P

IXYS Corporation

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	IXFP10N60P
Costruttore / Marca:	IXYS Corporation
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 600V 10A TO-220
Specifiche:	IXFP10N60P.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	38408 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 38408 pcs

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Specifiche di IXFP10N60P

Modello di prodotti	IXFP10N60P	fabbricante	IXYS Corporation
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 10A TO-220	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	38408 pcs	Scheda dati	IXFP10N60P.pdf
Vgs (th) (max) a Id	5.5V @ 1mA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-220AB
Serie	HiPerFET™, PolarP2™	Rds On (max) a Id, Vgs	740 mOhm @ 5A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	200W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-220-3	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Through Hole	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard	24 Weeks	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1610pF @ 25V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	32nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Tensione drain-source (Vdss)	600V
Descrizione dettagliata	N-Channel 600V 10A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	10A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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