IXFP4N100P

IXYS Corporation

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	IXFP4N100P
Costruttore / Marca:	IXYS Corporation
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220
Specifiche:	IXFP4N100P.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	32326 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 32326 pcs

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Specifiche di IXFP4N100P

Modello di prodotti	IXFP4N100P	fabbricante	IXYS Corporation
Descrizione	MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	32326 pcs	Scheda dati	IXFP4N100P.pdf
Vgs (th) (max) a Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-220AB
Serie	HiPerFET™, PolarP2™	Rds On (max) a Id, Vgs	3.3 Ohm @ 2A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	150W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-220-3	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Through Hole	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard	24 Weeks	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1456pF @ 25V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	26nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Tensione drain-source (Vdss)	1000V
Descrizione dettagliata	N-Channel 1000V 4A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220AB	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	4A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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