IXFR18N90P

IXYS Corporation

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	IXFR18N90P
Costruttore / Marca:	IXYS Corporation
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 900V ISOPLUS247
Specifiche:	IXFR18N90P.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	8906 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 8906 pcs

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Specifiche di IXFR18N90P

Modello di prodotti	IXFR18N90P	fabbricante	IXYS Corporation
Descrizione	MOSFET N-CH 900V ISOPLUS247	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	8906 pcs	Scheda dati	IXFR18N90P.pdf
Vgs (th) (max) a Id	6V @ 1mA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	ISOPLUS247™
Serie	HiPerFET™, PolarP2™	Rds On (max) a Id, Vgs	660 mOhm @ 9A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	200W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	ISOPLUS247™	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Through Hole	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard	26 Weeks	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	5230pF @ 25V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	97nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Tensione drain-source (Vdss)	900V
Descrizione dettagliata	N-Channel 900V 10.5A (Tc) 200W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	10.5A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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