IXFR21N100Q

IXYS Corporation

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	IXFR21N100Q
Costruttore / Marca:	IXYS Corporation
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 1KV 18A ISOPLUS247
Specifiche:	IXFR21N100Q.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	5465 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5465 pcs

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Specifiche di IXFR21N100Q

Modello di prodotti	IXFR21N100Q	fabbricante	IXYS Corporation
Descrizione	MOSFET N-CH 1KV 18A ISOPLUS247	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	5465 pcs	Scheda dati	IXFR21N100Q.pdf
Vgs (th) (max) a Id	5V @ 4mA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	ISOPLUS247™
Serie	HiPerFET™	Rds On (max) a Id, Vgs	500 mOhm @ 10.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	350W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	ISOPLUS247™	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Through Hole	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	5900pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	170nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Tensione drain-source (Vdss)	1000V	Descrizione dettagliata	N-Channel 1000V 18A (Tc) 350W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	18A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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