IXFT20N80P

IXYS Corporation

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	IXFT20N80P
Costruttore / Marca:	IXYS Corporation
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 800V 20A TO-268
Specifiche:	IXFT20N80P.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	11543 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 11543 pcs

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Specifiche di IXFT20N80P

Modello di prodotti	IXFT20N80P	fabbricante	IXYS Corporation
Descrizione	MOSFET N-CH 800V 20A TO-268	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	11543 pcs	Scheda dati	IXFT20N80P.pdf
Vgs (th) (max) a Id	5V @ 4mA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-268
Serie	HiPerFET™, PolarHT™	Rds On (max) a Id, Vgs	520 mOhm @ 10A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	500W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard	24 Weeks	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	4685pF @ 25V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	86nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Tensione drain-source (Vdss)	800V
Descrizione dettagliata	N-Channel 800V 20A (Tc) 500W (Tc) Surface Mount TO-268	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	20A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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