IXTY02N120P

IXYS Corporation

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	IXTY02N120P
Costruttore / Marca:	IXYS Corporation
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 1200V 0.2A DPAK
Specifiche:	IXTY02N120P.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	70708 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 70708 pcs

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Specifiche di IXTY02N120P

Modello di prodotti	IXTY02N120P	fabbricante	IXYS Corporation
Descrizione	MOSFET N-CH 1200V 0.2A DPAK	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	70708 pcs	Scheda dati	IXTY02N120P.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4V @ 100µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-252, (D-Pak)
Serie	Polar™	Rds On (max) a Id, Vgs	75 Ohm @ 500mA, 10V
Dissipazione di potenza (max)	33W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard	24 Weeks	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	104pF @ 25V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	4.7nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Tensione drain-source (Vdss)	1200V
Descrizione dettagliata	N-Channel 1200V 200mA (Tc) 33W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	200mA (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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