IXDN602PI

IXYS Integrated Circuits Division

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	IXDN602PI
Costruttore / Marca:	IXYS Integrated Circuits Division
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-DI
Specifiche:	IXDN602PI.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	117303 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Specifiche di IXDN602PI

Modello di prodotti	IXDN602PI	fabbricante	IXYS Integrated Circuits Division
Descrizione	MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-DI	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	117303 pcs	Scheda dati	IXDN602PI.pdf
Tensione di alimentazione -	4.5 V ~ 35 V	Contenitore dispositivo fornitore	8-DIP
Serie	-	Tempo di salita / scadenza (Typ)	7.5ns, 6.5ns
imballaggio	Tube	Contenitore / involucro	8-DIP (0.300", 7.62mm)
Altri nomi	CLA355 IXDN602PI-ND	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Frequenza di ingresso	2	Tipo montaggio	Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Produttore tempi di consegna standard	7 Weeks
Tensione logica - VIL, VIH	0.8V, 3V	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Tipo di ingresso	Non-Inverting	Tipo di porta	IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Configurazione guidata	Low-Side	Descrizione dettagliata	Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-DIP
Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore)	2A, 2A	Base-Emitter Tensione di saturazione (max)	Independent

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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