IPB60R040C7ATMA1

International Rectifier (Infineon Technologies)

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	IPB60R040C7ATMA1
Costruttore / Marca:	International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 650V 50A TO263-3
Specifiche:	IPB60R040C7ATMA1.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	10936 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 10936 pcs

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Specifiche di IPB60R040C7ATMA1

Modello di prodotti	IPB60R040C7ATMA1	fabbricante	International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione	MOSFET N-CH 650V 50A TO263-3	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	10936 pcs	Scheda dati	IPB60R040C7ATMA1.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4V @ 1.24mA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	PG-TO263-3
Serie	CoolMOS™ C7	Rds On (max) a Id, Vgs	40 mOhm @ 24.9A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	227W (Tc)	imballaggio	Original-Reel®
Contenitore / involucro	TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA	Altri nomi	IPB60R040C7ATMA1DKR
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	4340pF @ 400V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	107nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Tensione drain-source (Vdss)	650V
Descrizione dettagliata	N-Channel 650V 50A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	50A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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