IPB60R080P7ATMA1

International Rectifier (Infineon Technologies)

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	IPB60R080P7ATMA1
Costruttore / Marca:	International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH TO263-3
Specifiche:	IPB60R080P7ATMA1.pdf
Stato RoHS	Contiene piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	24821 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 24821 pcs

Prezzo di riferimento (in dollari USA)

1 pcs: $2.287

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Specifiche di IPB60R080P7ATMA1

Modello di prodotti	IPB60R080P7ATMA1	fabbricante	International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione	MOSFET N-CH TO263-3	Stato Lead senza piombo / RoHS	Contiene piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	24821 pcs	Scheda dati	IPB60R080P7ATMA1.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4V @ 590µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	D²PAK (TO-263AB)
Serie	CoolMOS™ P7	Rds On (max) a Id, Vgs	80 mOhm @ 11.8A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	129W (Tc)	imballaggio	Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Altri nomi	IPB60R080P7ATMA1CT
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Contains lead / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2180pF @ 400V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	51nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Tensione drain-source (Vdss)	650V
Descrizione dettagliata	N-Channel 650V 37A (Tc) 129W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	37A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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