IRF6644

International Rectifier (Infineon Technologies)

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	IRF6644
Costruttore / Marca:	International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-MN
Specifiche:	IRF6644.pdf
Stato RoHS	Contiene piombo / RoHS non conforme
Condizione di scorta	4789 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4789 pcs

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Specifiche di IRF6644

Modello di prodotti	IRF6644	fabbricante	International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione	MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-MN	Stato Lead senza piombo / RoHS	Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile	4789 pcs	Scheda dati	IRF6644.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4.8V @ 150µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	DIRECTFET™ MN
Serie	HEXFET®	Rds On (max) a Id, Vgs	13 mOhm @ 10.3A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	2.8W (Ta), 89W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	DirectFET™ Isometric MN	Altri nomi	SP001574786
temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	3 (168 Hours)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2210pF @ 25V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	47nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Tensione drain-source (Vdss)	100V
Descrizione dettagliata	N-Channel 100V 10.3A (Ta), 60A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MN	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	10.3A (Ta), 60A (Tc)

Metodo di spedizione
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Specifiche

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