DTA114EU3T106

LAPIS Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	DTA114EU3T106
Costruttore / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descrizione del prodotto	PNP -100MA -50V DIGITAL TRANSIST
Specifiche:	DTA114EU3T106.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	1607861 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1607861 pcs

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Specifiche di DTA114EU3T106

Modello di prodotti	DTA114EU3T106	fabbricante	LAPIS Semiconductor
Descrizione	PNP -100MA -50V DIGITAL TRANSIST	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	1607861 pcs	Scheda dati	DTA114EU3T106.pdf
Vce saturazione (max) a Ib, Ic	300mV @ 500µA, 10mA	Tipo transistor	PNP - Pre-Biased + Diode
Contenitore dispositivo fornitore	UMT3	Serie	-
Resistor - Emitter Base (R2)	10 kOhms	Resistor - Base (R1)	10 kOhms
Potenza - Max	200mW	imballaggio	Original-Reel®
Contenitore / involucro	SC-70, SOT-323	Altri nomi	DTA114EU3T106DKR
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard	7 Weeks	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione	250MHz	Descrizione dettagliata	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased + Diode 100mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce	30 @ 5mA, 5V	Corrente - Cutoff collettore (max)	-
Corrente - collettore (Ic) (max)	100mA

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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