DTA114EUBTL

LAPIS Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	DTA114EUBTL
Costruttore / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descrizione del prodotto	TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3F
Specifiche:	1.DTA114EUBTL.pdf 2.DTA114EUBTL.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	1553205 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1553205 pcs

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Specifiche di DTA114EUBTL

Modello di prodotti	DTA114EUBTL	fabbricante	LAPIS Semiconductor
Descrizione	TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3F	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	1553205 pcs	Scheda dati	1.DTA114EUBTL.pdf 2.DTA114EUBTL.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)	50V	Vce saturazione (max) a Ib, Ic	300mV @ 500µA, 10mA
Tipo transistor	PNP - Pre-Biased	Contenitore dispositivo fornitore	UMT3F
Serie	-	Resistor - Emitter Base (R2)	10 kOhms
Resistor - Base (R1)	10 kOhms	Potenza - Max	200mW
imballaggio	Original-Reel®	Contenitore / involucro	SC-85
Altri nomi	DTA114EUBTLDKR	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione	250MHz	Descrizione dettagliata	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 50mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3F
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce	20 @ 5mA, 5V	Corrente - Cutoff collettore (max)	500nA
Corrente - collettore (Ic) (max)	50mA	Numero di parte base	DTA114

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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