DTC643TUT106

LAPIS Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	DTC643TUT106
Costruttore / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descrizione del prodotto	TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
Specifiche:	1.DTC643TUT106.pdf 2.DTC643TUT106.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	493056 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 493056 pcs

Prezzo di riferimento (in dollari USA)

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Specifiche di DTC643TUT106

Modello di prodotti	DTC643TUT106	fabbricante	LAPIS Semiconductor
Descrizione	TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	493056 pcs	Scheda dati	1.DTC643TUT106.pdf 2.DTC643TUT106.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)	20V	Vce saturazione (max) a Ib, Ic	150mV @ 2.5mA, 50mA
Tipo transistor	NPN - Pre-Biased	Contenitore dispositivo fornitore	UMT3
Serie	-	Resistor - Base (R1)	4.7 kOhms
Potenza - Max	200mW	imballaggio	Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro	SC-70, SOT-323	Altri nomi	DTC643TUT106CT
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard	10 Weeks	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione	150MHz	Descrizione dettagliata	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 20V 600mA 150MHz 200mW Surface Mount UMT3
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce	820 @ 50mA, 5V	Corrente - Cutoff collettore (max)	500nA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max)	600mA	Numero di parte base	DTC643

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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