HP8K22TB

LAPIS Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	HP8K22TB
Costruttore / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descrizione del prodotto	30V NCH+NCH MID POWER MOSFET
Specifiche:	1.HP8K22TB.pdf 2.HP8K22TB.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	94783 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 94783 pcs

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Specifiche di HP8K22TB

Modello di prodotti	HP8K22TB	fabbricante	LAPIS Semiconductor
Descrizione	30V NCH+NCH MID POWER MOSFET	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	94783 pcs	Scheda dati	1.HP8K22TB.pdf 2.HP8K22TB.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2.5V @ 1mA	Contenitore dispositivo fornitore	8-HSOP
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	4.6 mOhm @ 20A, 10V
Potenza - Max	25W	imballaggio	Original-Reel®
Contenitore / involucro	8-PowerTDFN	Altri nomi	HP8K22TBDKR
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Produttore tempi di consegna standard	40 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1080pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	16.8nC @ 10V	Tipo FET	2 N-Channel (Half Bridge)
Caratteristica FET	-	Tensione drain-source (Vdss)	30V
Descrizione dettagliata	Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 27A, 57A 25W Surface Mount 8-HSOP	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	27A, 57A

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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