HP8S36TB

LAPIS Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	HP8S36TB
Costruttore / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descrizione del prodotto	30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET,
Specifiche:	1.HP8S36TB.pdf 2.HP8S36TB.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	81292 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 81292 pcs

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Specifiche di HP8S36TB

Modello di prodotti	HP8S36TB	fabbricante	LAPIS Semiconductor
Descrizione	30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET,	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	81292 pcs	Scheda dati	1.HP8S36TB.pdf 2.HP8S36TB.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2.5V @ 1mA	Contenitore dispositivo fornitore	8-HSOP
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	2.4 mOhm @ 32A, 10V
Potenza - Max	29W	imballaggio	Original-Reel®
Contenitore / involucro	8-PowerTDFN	Altri nomi	HP8S36TBDKR
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Produttore tempi di consegna standard	40 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	6100pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	47nC @ 4.5V	Tipo FET	2 N-Channel (Half Bridge)
Caratteristica FET	-	Tensione drain-source (Vdss)	30V
Descrizione dettagliata	Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 27A, 80A 29W Surface Mount 8-HSOP	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	27A, 80A

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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