R6011KNJTL

LAPIS Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	R6011KNJTL
Costruttore / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CHANNEL 600V 11A TO263
Specifiche:	1.R6011KNJTL.pdf 2.R6011KNJTL.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	86182 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 86182 pcs

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Specifiche di R6011KNJTL

Modello di prodotti	R6011KNJTL	fabbricante	LAPIS Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CHANNEL 600V 11A TO263	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	86182 pcs	Scheda dati	1.R6011KNJTL.pdf 2.R6011KNJTL.pdf
Vgs (th) (max) a Id	5V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-263
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	390 mOhm @ 3.8A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	124W (Tc)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Altri nomi	R6011KNJTLTR
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Produttore tempi di consegna standard	17 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	740pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	22nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	Schottky Diode (Isolated)	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Tensione drain-source (Vdss)	600V	Descrizione dettagliata	N-Channel 600V 11A (Tc) 124W (Tc) Surface Mount TO-263
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	11A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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