R6015ANJTL

LAPIS Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	R6015ANJTL
Costruttore / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS
Specifiche:
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	30134 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 30134 pcs

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Specifiche di R6015ANJTL

Modello di prodotti	R6015ANJTL	fabbricante	LAPIS Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	30134 pcs	Scheda dati
Vgs (th) (max) a Id	4.5V @ 1mA	Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore	LPTS	Serie	-
Rds On (max) a Id, Vgs	300 mOhm @ 7.5A, 10V	Dissipazione di potenza (max)	100W (Tc)
imballaggio	Tape & Reel (TR)	Contenitore / involucro	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
temperatura di esercizio	150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1700pF @ 25V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	50nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione drain-source (Vdss)	600V	Descrizione dettagliata	N-Channel 600V 15A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount LPTS
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	15A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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