R6012ANJTL

LAPIS Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	R6012ANJTL
Costruttore / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS
Specifiche:	R6012ANJTL.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	49099 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 49099 pcs

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Specifiche di R6012ANJTL

Modello di prodotti	R6012ANJTL	fabbricante	LAPIS Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	49099 pcs	Scheda dati	R6012ANJTL.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4.5V @ 1mA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	LPTS
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	420 mOhm @ 6A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	100W (Tc)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1300pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	35nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Tensione drain-source (Vdss)	600V	Descrizione dettagliata	N-Channel 600V 12A (Ta) 100W (Tc) Surface Mount LPTS
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	12A (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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