RHU002N06T106

LAPIS Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	RHU002N06T106
Costruttore / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-323
Specifiche:	RHU002N06T106.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	895107 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 895107 pcs

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Specifiche di RHU002N06T106

Modello di prodotti	RHU002N06T106	fabbricante	LAPIS Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-323	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	895107 pcs	Scheda dati	RHU002N06T106.pdf
Vgs (th) (max) a Id	-	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	UMT3
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	2.4 Ohm @ 200mA, 10V
Dissipazione di potenza (max)	200mW (Ta)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	SC-70, SOT-323	Altri nomi	RHU002N06T106-ND RHU002N06T106TR
temperatura di esercizio	150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	15pF @ 10V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	4.4nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V	Tensione drain-source (Vdss)	60V
Descrizione dettagliata	N-Channel 60V 200mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount UMT3	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	200mA (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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