RHU003N03FRAT106

LAPIS Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	RHU003N03FRAT106
Costruttore / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descrizione del prodotto	4V DRIVE NCH MOSFET (CORRESPONDS
Specifiche:	1.RHU003N03FRAT106.pdf 2.RHU003N03FRAT106.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	995903 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 995903 pcs

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Specifiche di RHU003N03FRAT106

Modello di prodotti	RHU003N03FRAT106	fabbricante	LAPIS Semiconductor
Descrizione	4V DRIVE NCH MOSFET (CORRESPONDS	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	995903 pcs	Scheda dati	1.RHU003N03FRAT106.pdf 2.RHU003N03FRAT106.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2.5V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	UMT3
Serie	Automotive, AEC-Q101	Rds On (max) a Id, Vgs	1.2 Ohm @ 300mA, 10V
Dissipazione di potenza (max)	200mW	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	SC-70, SOT-323	Altri nomi	RHU003N03FRAT106TR
temperatura di esercizio	150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Produttore tempi di consegna standard	10 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	20pF @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V	Tensione drain-source (Vdss)	30V
Descrizione dettagliata	N-Channel 30V 300mA (Ta) 200mW Surface Mount UMT3	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	300mA (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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