RUF020N02TL

LAPIS Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	RUF020N02TL
Costruttore / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 20V 2A TUMT3
Specifiche:	1.RUF020N02TL.pdf 2.RUF020N02TL.pdf 3.RUF020N02TL.pdf 4.RUF020N02TL.pdf 5.RUF020N02TL.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	409910 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 409910 pcs

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Specifiche di RUF020N02TL

Modello di prodotti	RUF020N02TL	fabbricante	LAPIS Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 20V 2A TUMT3	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	409910 pcs	Scheda dati	1.RUF020N02TL.pdf 2.RUF020N02TL.pdf 3.RUF020N02TL.pdf 4.RUF020N02TL.pdf 5.RUF020N02TL.pdf
Vgs (th) (max) a Id	1V @ 1mA	Vgs (Max)	±10V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TUMT3
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	105 mOhm @ 2A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max)	320mW (Ta)	imballaggio	Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro	3-SMD, Flat Leads	Altri nomi	RUF020N02TLCT
temperatura di esercizio	150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Produttore tempi di consegna standard	10 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	180pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	2nC @ 4.5V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss)	20V	Descrizione dettagliata	N-Channel 20V 2A (Ta) 320mW (Ta) Surface Mount TUMT3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	2A (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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