RUF025N02FRATL

LAPIS Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	RUF025N02FRATL
Costruttore / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descrizione del prodotto	NCH 20V 2.5A MIDDLE POWER MOSFET
Specifiche:	1.RUF025N02FRATL.pdf 2.RUF025N02FRATL.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	393701 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 393701 pcs

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Specifiche di RUF025N02FRATL

Modello di prodotti	RUF025N02FRATL	fabbricante	LAPIS Semiconductor
Descrizione	NCH 20V 2.5A MIDDLE POWER MOSFET	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	393701 pcs	Scheda dati	1.RUF025N02FRATL.pdf 2.RUF025N02FRATL.pdf
Vgs (th) (max) a Id	1.3V @ 1mA	Vgs (Max)	±10V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TUMT3
Serie	Automotive, AEC-Q101	Rds On (max) a Id, Vgs	54 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max)	800mW (Ta)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	3-SMD, Flat Leads	Altri nomi	RUF025N02FRATLTR
temperatura di esercizio	150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Produttore tempi di consegna standard	10 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	370pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	5nC @ 4.5V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss)	20V	Descrizione dettagliata	N-Channel 20V 2.5A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount TUMT3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	2.5A (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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