RV2C002UNT2L

LAPIS Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	RV2C002UNT2L
Costruttore / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 20V 0.18A VML1006
Specifiche:	1.RV2C002UNT2L.pdf 2.RV2C002UNT2L.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	1037845 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1037845 pcs

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Specifiche di RV2C002UNT2L

Modello di prodotti	RV2C002UNT2L	fabbricante	LAPIS Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 20V 0.18A VML1006	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	1037845 pcs	Scheda dati	1.RV2C002UNT2L.pdf 2.RV2C002UNT2L.pdf
Vgs (th) (max) a Id	1V @ 100µA	Vgs (Max)	±10V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	DFN1006-3 (VML1006)
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	2 Ohm @ 150mA, 4.5V
Dissipazione di potenza (max)	100mW (Ta)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	SC-101, SOT-883	Altri nomi	RV2C002UNT2LTR
temperatura di esercizio	150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Produttore tempi di consegna standard	10 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	12pF @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	1.2V, 4.5V	Tensione drain-source (Vdss)	20V
Descrizione dettagliata	N-Channel 20V 180mA (Ta) 100mW (Ta) Surface Mount DFN1006-3 (VML1006)	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	180mA (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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