FDMS86182

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FDMS86182
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 100V 78A 8PQFN
Specifiche:	FDMS86182.pdf
Condizione di scorta	62277 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Specifiche di FDMS86182

Modello di prodotti	FDMS86182	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 78A 8PQFN	Stato Lead senza piombo / RoHS
quantità disponibile	62277 pcs	Scheda dati	FDMS86182.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4V @ 150µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	8-PQFN (5x6), Power56
Serie	PowerTrench®	Rds On (max) a Id, Vgs	7.2 mOhm @ 28A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	83W (Tc)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	8-PowerTDFN	Altri nomi	FDMS86182TR
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Produttore tempi di consegna standard	34 Weeks
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2635pF @ 50V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	24nC @ 6V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V	Tensione drain-source (Vdss)	100V
Descrizione dettagliata	N-Channel 100V 78A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6), Power56	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	78A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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