FDP032N08-F102

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FDP032N08-F102
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CHANNEL 75V 120A TO220
Specifiche:	FDP032N08-F102.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	38866 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 38866 pcs

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Specifiche di FDP032N08-F102

Modello di prodotti	FDP032N08-F102	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CHANNEL 75V 120A TO220	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	38866 pcs	Scheda dati	FDP032N08-F102.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-220
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	3.2 mOhm @ 75A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	375W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-220-3	Altri nomi	FDP032N08_F102 FDP032N08_F102-ND
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo montaggio	Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	15160pF @ 25V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	220nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Tensione drain-source (Vdss)	75V
Descrizione dettagliata	N-Channel 75V 120A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	120A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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