IXFH8N80

IXYS Corporation

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	IXFH8N80
Costruttore / Marca:	IXYS Corporation
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 800V 8A TO-247
Specifiche:	IXFH8N80.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	13117 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 13117 pcs

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Specifiche di IXFH8N80

Modello di prodotti	IXFH8N80	fabbricante	IXYS Corporation
Descrizione	MOSFET N-CH 800V 8A TO-247	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	13117 pcs	Scheda dati	IXFH8N80.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4.5V @ 2.5mA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-247AD (IXFH)
Serie	HiPerFET™	Rds On (max) a Id, Vgs	1.1 Ohm @ 4A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	180W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-247-3	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Through Hole	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2600pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	130nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Tensione drain-source (Vdss)	800V	Descrizione dettagliata	N-Channel 800V 8A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	8A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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