IXFT30N50

IXYS Corporation

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	IXFT30N50
Costruttore / Marca:	IXYS Corporation
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 500V 30A TO-268
Specifiche:	IXFT30N50.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	8139 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 8139 pcs

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Specifiche di IXFT30N50

Modello di prodotti	IXFT30N50	fabbricante	IXYS Corporation
Descrizione	MOSFET N-CH 500V 30A TO-268	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	8139 pcs	Scheda dati	IXFT30N50.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4V @ 4mA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-268
Serie	HiPerFET™	Rds On (max) a Id, Vgs	160 mOhm @ 15A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	360W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	5700pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	300nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Tensione drain-source (Vdss)	500V	Descrizione dettagliata	N-Channel 500V 30A (Tc) 360W (Tc) Surface Mount TO-268
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	30A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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