IXTX22N100L

IXYS

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	IXTX22N100L
Costruttore / Marca:	IXYS Corporation
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 1000V 22A PLUS247
Specifiche:	IXTX22N100L.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	3555 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3555 pcs

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Specifiche di IXTX22N100L

Modello di prodotti	IXTX22N100L	fabbricante	IXYS
Descrizione	MOSFET N-CH 1000V 22A PLUS247	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	3555 pcs	Scheda dati	IXTX22N100L.pdf
Tensione - Prova	7050pF @ 25V	Tensione - Ripartizione	PLUS247™-3
Vgs (th) (max) a Id	600 mOhm @ 11A, 20V	Vgs (Max)	10V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Serie	-
Stato RoHS	Tube	Rds On (max) a Id, Vgs	22A (Tc)
Polarizzazione	TO-247-3	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Through Hole	Livello di sensibilità umidità (MSL)	1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore	IXTX22N100L	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	270nC @ 15V
Tipo IGBT	±30V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	5V @ 250µA
Caratteristica FET	N-Channel	Descrizione espansione	N-Channel 1000V (1kV) 22A (Tc) 700W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Tensione drain-source (Vdss)	-	Descrizione	MOSFET N-CH 1000V 22A PLUS247
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	1000V (1kV)	rapporto di capacità	700W (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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