FDS6982

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FDS6982
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET 2N-CH 30V 6.3A/8.6A 8SOIC
Specifiche:	FDS6982.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	4796 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4796 pcs

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Specifiche di FDS6982

Modello di prodotti	FDS6982	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET 2N-CH 30V 6.3A/8.6A 8SOIC	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	4796 pcs	Scheda dati	FDS6982.pdf
Vgs (th) (max) a Id	3V @ 250µA	Contenitore dispositivo fornitore	8-SO
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	28 mOhm @ 6.3A, 10V
Potenza - Max	900mW	imballaggio	Original-Reel®
Contenitore / involucro	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Altri nomi	FDS6982DKR
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	760pF @ 10V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 5V
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)	Caratteristica FET	Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss)	30V	Descrizione dettagliata	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.3A, 8.6A 900mW Surface Mount 8-SO
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	6.3A, 8.6A

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Post-Vendita
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