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SI6473DQ-T1-GE3

Electro-Films (EFI) / VishayElectro-Films (EFI) / Vishay
Electro-Films (EFI) / Vishay
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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti: SI6473DQ-T1-GE3
Costruttore / Marca: Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione del prodotto MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP
Specifiche: SI6473DQ-T1-GE3.pdf
Stato RoHS Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta 5444 pcs stock
Nave da Hong Kong
Modo di spedizione DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
In Stock 5444 pcs
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Specifiche di SI6473DQ-T1-GE3

Modello di prodotti SI6473DQ-T1-GE3 fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 5444 pcs Scheda dati SI6473DQ-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (max) a Id 450mV @ 250µA (Min) Vgs (Max) ±8V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Contenitore dispositivo fornitore 8-TSSOP
Serie TrenchFET® Rds On (max) a Id, Vgs 12.5 mOhm @ 9.5A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max) 1.08W (Ta) imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 70nC @ 5V
Tipo FET P-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V Tensione drain-source (Vdss) 20V
Descrizione dettagliata P-Channel 20V 6.2A (Ta) 1.08W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6.2A (Ta)

Metodo di spedizione

★ SPEDIZIONE GRATUITA TRAMITE DHL / FEDEX / UPS SE UN IMPORTO PER ORDINI SUPERIORE A 1.000 USD.
(SOLO PER Circuiti integrati, Protezione di circuiti, RF / IF e RFID, Optoelettronica, Sensori, Trasduttori, Trasformatori, Isolatori, Interruttori, Relè)

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DHL www.DHL.com A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese.
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