Modello di prodotti | IXTY01N100 | fabbricante | IXYS Corporation |
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Descrizione | MOSFET N-CH 1000V 0.1A DPAK | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
quantità disponibile | 91934 pcs | Scheda dati | IXTY01N100.pdf |
Vgs (th) (max) a Id | 4.5V @ 25µA | Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Contenitore dispositivo fornitore | TO-252AA |
Serie | - | Rds On (max) a Id, Vgs | 80 Ohm @ 100mA, 10V |
Dissipazione di potenza (max) | 25W (Tc) | imballaggio | Tube |
Contenitore / involucro | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Altri nomi | 490458 IXTY01N100CT IXTY01N100CT-ND |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Produttore tempi di consegna standard | 24 Weeks |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 54pF @ 25V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 6.9nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Tensione drain-source (Vdss) | 1000V | Descrizione dettagliata | N-Channel 1000V 100mA (Tc) 25W (Tc) Surface Mount TO-252AA |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 100mA (Tc) |
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