APT34M120J

Microsemi

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	APT34M120J
Costruttore / Marca:	Microsemi
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 1200V 34A SOT-227
Specifiche:	1.APT34M120J.pdf 2.APT34M120J.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	2239 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 2239 pcs

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Specifiche di APT34M120J

Modello di prodotti	APT34M120J	fabbricante	Microsemi
Descrizione	MOSFET N-CH 1200V 34A SOT-227	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	2239 pcs	Scheda dati	1.APT34M120J.pdf 2.APT34M120J.pdf
Vgs (th) (max) a Id	5V @ 2.5mA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	SOT-227
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	300 mOhm @ 25A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	960W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	SOT-227-4, miniBLOC	Altri nomi	APT34M120JMI APT34M120JMI-ND
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Chassis Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Produttore tempi di consegna standard	17 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	18200pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	560nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Tensione drain-source (Vdss)	1200V	Descrizione dettagliata	N-Channel 1200V 35A (Tc) 960W (Tc) Chassis Mount SOT-227
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	35A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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