IXFP8N50PM

IXYS Corporation

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	IXFP8N50PM
Costruttore / Marca:	IXYS Corporation
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 500V 4.4A TO-220
Specifiche:	IXFP8N50PM.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	39352 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 39352 pcs

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Specifiche di IXFP8N50PM

Modello di prodotti	IXFP8N50PM	fabbricante	IXYS Corporation
Descrizione	MOSFET N-CH 500V 4.4A TO-220	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	39352 pcs	Scheda dati	IXFP8N50PM.pdf
Vgs (th) (max) a Id	5.5V @ 1mA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-220AB
Serie	HiPerFET™, PolarHT™	Rds On (max) a Id, Vgs	800 mOhm @ 4A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	42W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-220-3	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Through Hole	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1050pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Tensione drain-source (Vdss)	500V	Descrizione dettagliata	N-Channel 500V 4.4A (Tc) 42W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	4.4A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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