IXFP8N85X

IXYS Corporation

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	IXFP8N85X
Costruttore / Marca:	IXYS Corporation
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 850V 8A TO220AB
Specifiche:	IXFP8N85X.pdf
Condizione di scorta	69016 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Specifiche di IXFP8N85X

Modello di prodotti	IXFP8N85X	fabbricante	IXYS Corporation
Descrizione	MOSFET N-CH 850V 8A TO220AB	Stato Lead senza piombo / RoHS
quantità disponibile	69016 pcs	Scheda dati	IXFP8N85X.pdf
Vgs (th) (max) a Id	5.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-220AB (IXFP)
Serie	HiPerFET™	Rds On (max) a Id, Vgs	850 mOhm @ 4A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	200W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-220-3	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Through Hole	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard	24 Weeks	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	654pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	17nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Tensione drain-source (Vdss)	850V	Descrizione dettagliata	N-Channel 850V 8A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB (IXFP)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	8A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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